Power Integrations, 세계 최초 2200V GaN 기술 공개… 차세대 고전압 시스템 겨냥

노형석 기자

작성일 2026-08-08 08:02

고전압 전력 변환 솔루션 분야의 선두 주자인 Power Integrations가 세계 최초로 2200V 정격의 PowiGaN™ 갈륨나이트라이드(GaN) 기술을 공개했다고 밝혔다.

이는 현재 상용화된 다른 GaN 기술의 전압 성능을 훨씬 뛰어넘는 수준으로, AI 데이터 센터, 전기차, 태양광 발전 및 고전압직류송전(HVDC) 인프라 등 차세대 고전압 시스템 구축에 필수적인 기술로 주목받고 있다. PowiGaN 기술은 더 높은 전력 밀도와 효율성, 그리고 더욱 안전하고 간소화된 시스템 아키텍처를 가능하게 한다.

Power Integrations의 제니퍼 로이드(Jennifer Lloyd) 사장 겸 CEO는 “2200V PowiGaN 기술은 새롭게 부상하는 고전압 전력 시스템에 상당한 전압 마진을 제공하는 동시에, 전력 밀도를 극대화하는 데 필요한 높은 스위칭 주파수를 지원한다”고 설명했다. 이어 “차세대 AI 데이터 센터는 1500V 분배 아키텍처를 지향하고 있으며, 미래의 전기차 배터리 및 보조 전력 시스템 또한 점점 더 높은 출력 전압(48V)에서 작동할 것으로 예상된다”며, “이번 기술적 성과는 기존에 실리콘 카바이드(SiC)가 주로 사용되던 전압 영역까지 GaN 기술의 적용 범위를 확장시켜, 태양광, HVDC 및 첨단 산업 전력 변환과 같은 애플리케이션에 대한 매력적인 고주파 대안을 제시한다”고 덧붙였다.

GaN 전력 스위치는 높은 효율성과 스위칭 주파수로 인해 다양한 전력 변환 애플리케이션에서 기존의 실리콘 트랜지스터를 점차 대체하고 있다. 하지만 데이터 센터, 전기차, 신재생 에너지 및 HVDC 인프라 분야의 로드맵은 더 높은 전압과 전력 밀도를 요구하고 있으며, 이에 맞춰 GaN 기술 역시 발전해야 하는 과제를 안고 있다. 기존의 대안으로는 낮은 주파수의 실리콘 카바이드(SiC)를 사용하거나, 전력 밀도, 복잡성 및 신뢰성 측면에서 절충이 필요한 여러 개의 저전압 GaN 소자를 쌓아 올리는 방식 등이 있었다.

현재 1700V 정격의 PowiGaN IC는 이미 단일 스테이지 데이터 센터 보조 전력 애플리케이션에 적용되고 있으며, 1250V PowiGaN은 800VDC 데이터 센터의 메인 전력 경로에서 복잡한 다단 솔루션을 대체하는 간소화된 대안을 제공한다. 이번 2200V PowiGaN 기술의 도입으로 더욱 높은 버스 아키텍처 지원이 가능해져, 데이터 센터뿐만 아니라 전기차, 태양광 인버터 및 에너지 저장 시스템(ESS) 등 미래 전력 설계의 경쟁력을 확보할 수 있게 되었다.